სემინარები

CaAs-ში ღრმა გამნბნევი ცენტრების იონიზაციის ენერგიის განსაზღვრა დაბალტემპერატურული დარტყმითი იონიზაციის მეთოდით. ინჟინერიის და მშენებლობის დეპარტამენტის ასოცირებული პროფესორი ოთარ ჯანელიძე.29.06.2018 აუდ.410. 12 საათზე.

სადღეისოდ დიდია ინტერესი გალიუმ-არსენიდის (GaAs) მიმართ, იმის გამო, რომ მის საფუძველზე შეიძლება შეიქმნას ახალი ნახევარგამტარული ხელსაწყოები და ელექტრო­მექანიკური სისტემები. გალიუმ-არსენიდზე მუშაობის დაწყების წინ დაისვა ამოცანა, რომ შექმნილიყო ელექტრო-ფიზიკური პარამეტრების სისტემა, რომელიც უფრო სრულად დაახასიათებდა ნახევარგამტარული მასალების გამოყენე­ბას კონკრეტული ტიპის ხელსაწყოების შესაქმნელად.

კვლევებში ნაჩვენებია, რომ ერთგვაროვან მაგნიტურ ველში დაბალ ტემპერა­ტურებზე, ელექტრული გარღვევის რეჟიმში, ვოლტ-ამპერული მახასიათებლის პირდა­პირი შტოს S-ის და N-ის ფორმის მსგავს უბნებზე, წარმოიშვება დაბალსიხში­რული რხევები. რხევების სიხშირე, ამპლიტუდა და  მილევადობა დამოკიდებულია ნიმუშში ღრმა ცენტრებისა და ვაკანსიების კონცენტრაციაზე და ნიმუშზე მოდებული  ძაბვის სიდიდეზე.

  პრეზენტაცია

უკან

პოპულარული სიახლეები

საკონტაქტო ინფორმაცია

საქართველო, ბათუმი, 6010
ნინოშვილის/რუსთაველის ქ. 35/32
ტელ: +995(422) 27–17–80
ფაქსი: +995(422) 27–17–87
ელ. ფოსტა: info@bsu.edu.ge
     

სიახლის გამოწერა